產(chǎn)品頻道

編者按：意法半導(dǎo)體（ST）推出250A功率MOSFET，封裝和制程同步升級(jí)，提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)能效。 中國(guó)，2008年7月16日 —— 以降低電動(dòng)汽車(chē)等電動(dòng)設(shè)備的運(yùn)營(yíng)成本和環(huán)境影響為目標(biāo)，電源管理應(yīng)用的領(lǐng)先廠商意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品擁有市場(chǎng)上最低的導(dǎo)通電阻，可以把功率轉(zhuǎn)換損耗降至最低，并提高系統(tǒng)性能。 新產(chǎn)品STV250N55F3是市場(chǎng)上首款整合ST PowerSO-10? 封裝和引線帶楔焊鍵合技術(shù)的功率MOSFET，無(wú)裸晶片封裝的電阻率極低。新產(chǎn)品采用ST的高密度STripFET III? 制程，典型導(dǎo)通電阻僅為1.5毫歐。STripFET III更多優(yōu)點(diǎn)包括：開(kāi)關(guān)損耗低，抗雪崩性能強(qiáng)。除提高散熱效率外，九線源極連接配置還有助于降低電阻。在25℃時(shí)，封裝的額定功率為300W。 新產(chǎn)品的高額定電流讓工程師可以設(shè)計(jì)多個(gè)并聯(lián)的MOSFET，達(dá)到節(jié)省電路板空間和材料成本的目的。標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)閾壓還有助于簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)。STV250N55F3適用于高達(dá)55V的電力設(shè)備。 高達(dá)175℃的工作溫度使STV250N55F3適用于強(qiáng)電流電力牽引設(shè)備，如叉車(chē)、高爾夫球用車(chē)和電動(dòng)托盤(pán)裝卸車(chē)以及割草機(jī)、電動(dòng)輪椅和電動(dòng)自行車(chē)。新產(chǎn)品在晶圓和成品階段都經(jīng)過(guò)100%的雪崩測(cè)試，為可靠性和抗擊穿性提供了有力的保障。新產(chǎn)品將很快達(dá)到汽車(chē)級(jí)產(chǎn)品質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。 在同一個(gè)產(chǎn)品系列，ST還有一款型號(hào)為55V STV200N55F3的產(chǎn)品，該產(chǎn)品的額定漏極連續(xù)電流為200A，源極連線配置為4線。 STV250N55F3樣片即刻上市銷(xiāo)售，預(yù)計(jì)2008年第三季度開(kāi)始量產(chǎn)。 關(guān)于意法半導(dǎo)體（ST） 意法半導(dǎo)體，是微電子應(yīng)用領(lǐng)域中開(kāi)發(fā)供應(yīng)半導(dǎo)體解決方案的世界級(jí)主導(dǎo)廠商。硅片與系統(tǒng)技術(shù)的完美結(jié)合，雄厚的制造實(shí)力，廣泛的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合（IP），以及強(qiáng)大的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，使意法半導(dǎo)體在系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）技術(shù)方面居最前沿地位。在今天實(shí)現(xiàn)技術(shù)一體化的發(fā)展趨勢(shì)中，ST的產(chǎn)品扮演了一個(gè)重要的角色。公司股票分別在紐約股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米蘭股票交易所上市。2007年，公司凈收入100億美元，詳情請(qǐng)?jiān)L問(wèn)ST網(wǎng)站 www.st.com 或 ST中文網(wǎng)站 www.stmicroelectronics.com.cn