當(dāng)輸入電阻較大時(shí),電流較小的信號(hào)可以獲得可放大的高電壓。由于在輸入端獲得的電流非常小,因此減少了信號(hào)源的負(fù)擔(dān)。
關(guān)鍵詞標(biāo)簽:變壓器
2024-04-18
DrMOS,全稱Driver-MOSFET,是一種由Intel在2004年推出的高效節(jié)能技術(shù)。它通過(guò)將MOSFET和MOS驅(qū)動(dòng)器集成到同一封裝中,實(shí)現(xiàn)了...
關(guān)鍵詞標(biāo)簽:芯片
2024-04-17
反激式開(kāi)關(guān)電源的典型電路如下圖所示。電路中所謂的單端是指高頻變換器的磁芯僅工作在磁滯回線的一側(cè)。
關(guān)鍵詞標(biāo)簽:接近開(kāi)關(guān)
2024-04-17
接近開(kāi)關(guān),作為一種非接觸式的傳感器,廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代自動(dòng)化控制領(lǐng)域,尤其在機(jī)械制造、物流運(yùn)輸、機(jī)器人技術(shù)及智能家居等領(lǐng)...
關(guān)鍵詞標(biāo)簽:接近開(kāi)關(guān)
2024-04-16
高頻開(kāi)關(guān)電源是一種采用現(xiàn)代電力電子技術(shù),通過(guò)高頻開(kāi)關(guān)動(dòng)作來(lái)實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換和精確電壓調(diào)整的電源裝置。
關(guān)鍵詞標(biāo)簽:接近開(kāi)關(guān)
2024-04-15
手機(jī)的無(wú)線充電原理是:充電底座負(fù)責(zé)將電流變成磁場(chǎng),而且是一個(gè)不斷變化的磁場(chǎng)。在手機(jī)的后蓋下有一個(gè)線圈。
關(guān)鍵詞標(biāo)簽:電力電子
2024-04-15
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