首件國產(chǎn)高壓IGBT芯片通過鑒定 中國有了“中國芯”
導(dǎo)語:我國自主研發(fā)的高壓大功率3300V/50AIGBT(絕緣柵雙極型晶體管)芯片及由此芯片封裝的大功率1200A/3300VIGBT模塊,今天(12日)通過專家鑒定。中國自此有了完全自主的IGBT“中國芯”。
由中國北車設(shè)計(jì)開發(fā)的3300V/50AIGBT芯片,是國內(nèi)首件自主設(shè)計(jì)制造的高壓IGBT芯片,邁開了國產(chǎn)IGBT功率“芯臟”替代進(jìn)口的步伐。
IGBT作為新一代功率半導(dǎo)體器件,具有驅(qū)動(dòng)容易、控制簡單、開關(guān)頻率高、導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小等優(yōu)點(diǎn),是自動(dòng)控制和功率變換的關(guān)鍵核心部件,被廣泛應(yīng)用在軌道交通裝備、電力系統(tǒng)、工業(yè)變頻、風(fēng)電、太陽能、電動(dòng)汽車和家電產(chǎn)業(yè)中。如在軌道交通領(lǐng)域,牽引傳動(dòng)系統(tǒng)是動(dòng)車組、機(jī)車等裝備的核心部件,而IGBT又是牽引傳動(dòng)系統(tǒng)的核心部件,是“核心中的核心”。

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