中國上海，2014年9月23日–日本半導(dǎo)體制造商株式會社東芝（Toshiba）旗下東芝半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司宣布，東芝超級結(jié)MOSFET榮獲“2014年度中國電子成就獎”的“年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎”。由環(huán)球資源GlobalSources旗下領(lǐng)先行業(yè)媒體《電子工程專輯》、《國際電子商情》及《電子技術(shù)設(shè)計》共同頒發(fā)的“2014中國年度電子成就獎”（TheChinaAnnualCreativityinElectronicsAwards2014）頒獎典禮于9月2日在“第十九屆IIC-China”（IIC-China研討會暨展覽會）期間舉辦。
超級結(jié)MOSFET
東芝在電源AC-DC轉(zhuǎn)換中使用的高壓MOSFET（HV-MOSFET）方面開發(fā)出超級結(jié)MOSFET，稱此結(jié)構(gòu)為DeepTrenchMOSFET（DT-MOS）。目前東芝正在擴充第四代產(chǎn)品，與前三代開發(fā)出的DT-MOS制造工藝有所不同，從多層外延（Multi-Epi）到單層外延（SingleEpi）可以說是一個很大的改變。由于制造工藝的難度很大，如今采用單層外延構(gòu)造的生產(chǎn)廠家逐漸減少，而東芝至今在單層外延型構(gòu)造方面仍進(jìn)行著積極的開發(fā)。由于采用單層外延構(gòu)造，可實現(xiàn)FET的細(xì)微化，而且在縱向上控制了不純物濃度，從而實現(xiàn)了高壓和低導(dǎo)通電阻的并存。與多層外延相比，可將高溫下的Ron變化控制在最小范圍。隨著開關(guān)噪聲的低EMC等需求增加，東芝還準(zhǔn)備了控制開關(guān)速度dv/dt降低噪聲Qgs=110nC的DTMOSⅣ和追求高速開關(guān)特性Qgs=85nC的低容量型DT-MOSⅣ-H這兩種工藝來滿足客戶的需求。
東芝超級結(jié)MOSFET
關(guān)于“2014年度中國電子成就獎”
“中國年度電子成就獎”由環(huán)球資源旗下領(lǐng)先電子行業(yè)媒體電子工程專輯、國際電子商情及電子技術(shù)設(shè)計共同舉辦，旨在表彰對中國電子產(chǎn)業(yè)及技術(shù)發(fā)展做出貢獻(xiàn)的人士及企業(yè)。其中，“公司”、“技術(shù)”及“產(chǎn)品”等獎項由三個專業(yè)媒體的電子工程設(shè)計和電子企業(yè)管理者社群在線投票決定，分析師推薦獎項由分析師團(tuán)隊投票選出。
網(wǎng)站客服
粵公網(wǎng)安備 44030402000946號