美國科技業(yè)創(chuàng)新成為主導(dǎo)全球網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)業(yè)的最龐大勢力，也推翻許多傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)，特別是中介服務(wù)業(yè)，使得全球政府與企業(yè)都在思考創(chuàng)新，政治人物也以支持創(chuàng)新做為政策訴求，但是張忠謀日前呼吁勿忘舊產(chǎn)業(yè)，認為舊產(chǎn)業(yè)才是創(chuàng)造經(jīng)濟成長，解決分配問題的方法，現(xiàn)在美國也要想辦法拯救所謂的舊產(chǎn)業(yè)，除了維持技術(shù)優(yōu)勢，考慮的也是確保創(chuàng)造龐大就業(yè)機會的制造業(yè)能夠緩解分配不均的問題。

美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)雇用25萬民勞工，是美國制造業(yè)出口的第三大來源，英特爾也仍然是世界上最大的芯片制造商，但隨著海外競爭加劇，美國優(yōu)勢逐漸下滑，美國政府希望能與民間一同集思廣益，確保未來幾年美國在半導(dǎo)體市場的主導(dǎo)性。

MIT分析認為，美國芯片制造優(yōu)勢下滑可從兩方面來看，第一是英特爾與AMD在行動芯片上輸給擅長低功率處理器的企業(yè)，如英國公司ARM，其次，即使蘋果等美國公司芯片設(shè)計是由國內(nèi)主導(dǎo)，但硬體制造仍然在海外。

中國政府投入1千億美元補貼半導(dǎo)體市場，同時半導(dǎo)體的摩爾定律放緩讓產(chǎn)業(yè)感到頭痛，都是美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨的外部威脅。

現(xiàn)在美國英特爾、高通、微軟的退休人士希望能解決上述問題，美國白宮科學(xué)與科技政策辦公室主任表示，“美國政府現(xiàn)在組成一個專家團體，將找出國內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心問題，并確認維持美國在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)揮主導(dǎo)優(yōu)勢的主要機會?！?/p>

意思就是找到新的發(fā)展策略，從激進的新幾何和光學(xué)計算方法，到越來越專業(yè)的芯片，接著就是加重投資力度，有些是私人資金，如三星投資10億美元在奧斯汀、德州的半導(dǎo)體工廠，但也有大量資金將來自政府。

報導(dǎo)指出，現(xiàn)在要談將iPhone的生產(chǎn)鏈全部移回美國是天方夜譚，但至少未來會有愈來愈多的內(nèi)部芯片，可望能回到美國本土生產(chǎn)。

為沖刺半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，南韓政府也籌組“半導(dǎo)體希望基金”，南韓三星電子、SK海力士也同意參與，政府投資金額為2千億韓圜，業(yè)界認為投資力度將著重技術(shù)研發(fā)。

以產(chǎn)值來看，美國半導(dǎo)體年產(chǎn)值世界第一占46%，臺灣占19%排第二，南韓占14%排名第三。全球前五大半導(dǎo)體廠為英特爾、三星、臺積電、安華高／博通、高通。

美國官方對自身半導(dǎo)體制造的評價

2016年6月底，美國國會研究服務(wù)局（CRS）發(fā)布報告《美國半導(dǎo)體制造：行業(yè)趨勢、國際競爭與聯(lián)邦政策》，闡述了美國半導(dǎo)體制造業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、全球競爭態(tài)勢，以及政府在該行業(yè)所起的作用。

1.美國半導(dǎo)體制造業(yè)的重要地位

2013年美國國內(nèi)約有820家公司涉足半導(dǎo)體或相關(guān)的設(shè)備制造行業(yè)，其對美國經(jīng)濟的價值貢獻到2014年已達到272億美元，約占美國制造業(yè)總產(chǎn)值的1%。2015年，總部位于美國的半導(dǎo)體公司的海外市場銷售額為418億美元（占總銷售額的83%），半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為美國高科技出口產(chǎn)業(yè)的代表。在知識產(chǎn)權(quán)方面，美國高通、英特爾和博通等主要半導(dǎo)體制造商是專利大戶。

根據(jù)美國勞工統(tǒng)計局數(shù)據(jù)，2015年半導(dǎo)體及相關(guān)設(shè)備制造業(yè)的員工數(shù)量為18.07萬人（較2001年下降了38%），該行業(yè)員工數(shù)量占制造業(yè)總員工數(shù)量的1.5%，平均工資約為13.81萬美元，是美國制造業(yè)員工平均工資的兩倍以上。

2.全球競爭格局

到2015年年底，全球共有94家先進的晶圓制造廠商，其中17家在美國，71家在亞洲（其中中國有9家），6家在歐洲。日本在上世紀80年代處于領(lǐng)先地位，但自90年代開始其全球半導(dǎo)體市場份額顯著下降，至2015年僅有3家日本芯片制造商位列全球排名前20——東芝、瑞薩電子和索尼。而與此同時，東亞其他國家已成為動態(tài)隨機存取存儲器市場的主要公司。韓國三星電子和海士力目前是世界第二和第三大半導(dǎo)體公司。

美國多方合作確保在半導(dǎo)體引領(lǐng)地位

與韓國、日本不同，美國政府一般不會直接干預(yù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，但會利用各種方式為產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造發(fā)展條件。其中，政府、行業(yè)、大學(xué)的合作對美國半導(dǎo)體行業(yè)保持技術(shù)領(lǐng)先地位功不可沒。

如在1997年，美國國防部以及美國半導(dǎo)體及供應(yīng)商企業(yè)便通過焦點中心研究計劃（FocusCenterResearchProgram，F(xiàn)CRP）資助大學(xué)研究。FCRP計劃由美國國防部高級研究計劃局（DARPA）和半導(dǎo)體研究聯(lián)盟（SemiconductorResearchCorporation，SRC）管理，卡內(nèi)基梅隆大學(xué)、麻省理工學(xué)院（MIT）、普林斯頓大學(xué)、加州大學(xué)伯克利分校等知名大學(xué)都是其合作伙伴，而行業(yè)伙伴則包括了應(yīng)用材料、飛思卡爾（后來被NXP收購）、格羅方德、國際商用機器、英特爾、美光科技、德州儀器等業(yè)內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)。

2013年1月，DARPA和SRC宣布將實行“半導(dǎo)體先進技術(shù)研發(fā)網(wǎng)絡(luò)”（SemiconductorTechnologyAdvancedResearchnetwork，STARnet）作為FCRP計劃的延續(xù)，該計劃旨在促進半導(dǎo)體技術(shù)，以支持美國半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)增長和領(lǐng)導(dǎo)地位。未來5年，DARPA將通過該計劃投入總計1.94億美元創(chuàng)建6個跨校研究中心，包括：密歇根大學(xué)領(lǐng)導(dǎo)的未來架構(gòu)研究中心（C-FAR）；美國明尼蘇達大學(xué)領(lǐng)導(dǎo)的自旋電子材料、接口和新穎架構(gòu)中心（C-SPIN）；美國加州洛杉磯大學(xué)領(lǐng)導(dǎo)的功能性加速納米材料工程中心（FAME）；圣母諾特丹大學(xué)領(lǐng)導(dǎo)的低能源系統(tǒng)技術(shù)中心（LEAST）；伊利諾伊大學(xué)領(lǐng)導(dǎo)的納米級信息結(jié)構(gòu)系統(tǒng)中心（SONIC）；加州大學(xué)伯克利分校領(lǐng)導(dǎo)的TerraSwarm研究中心。

每個研究中心的具體任務(wù)包括：C-FAR中心研究未來可擴展計算機系統(tǒng)架構(gòu)，最大限度地利用新興電路架構(gòu)，通過一個高度協(xié)作化研究過程打造全新商業(yè)/國防應(yīng)用領(lǐng)域；C-SPIN中心將探索和創(chuàng)建基本構(gòu)建塊，實現(xiàn)革命性的自旋基多功能可擴展內(nèi)存設(shè)備和計算架構(gòu)；FAME中心創(chuàng)建和研究新型非常規(guī)原子級工程材料和結(jié)構(gòu)，用于多功能氧化物、金屬和半導(dǎo)體，加快模擬、邏輯和存儲設(shè)備的創(chuàng)新；LEAST中心探索集成電路方面的新材料和新設(shè)備物理學(xué)研究，專注于發(fā)現(xiàn)超低電壓和超陡晶體管的最佳材料系統(tǒng)；SONIC中心研發(fā)超越CMOS的納米級結(jié)構(gòu)應(yīng)用程序、架構(gòu)和電路，使魯棒性和能源效率達到了前所未有的水平；TerraSwarm中心探索通過一個開放通用的系統(tǒng)架構(gòu)在大規(guī)模分布式異構(gòu)群平臺安全部署一個多重先進分布式感應(yīng)控制驅(qū)動程序。

該項目每年將獲得4000萬美元的專用資助，每個研究中心獲得約600萬美元，目前，這6個研究中心匯集了全美39所大學(xué)的145名教授和約400名研究生，并幫助培養(yǎng)下一代電氣工程、計算機科學(xué)、物理科學(xué)方面的博士生。

美國其他部分政府與企業(yè)、大學(xué)合作的例子還包括：美國標準與技術(shù)研究所（NIST）2012年10月宣布將在未來5年內(nèi)為納米電子學(xué)研究創(chuàng)新（NanoelectronicsResearchInitiative，NRI）計劃每年提供260萬美元研究資金；DARPA分別在2012年6月和2013年2月發(fā)布關(guān)于“芯片內(nèi)/芯片間增強冷卻”（ICECool）項目的第一、第二階段的相關(guān)信息以促進芯片冷卻技術(shù)發(fā)展，并在2013年4月為喬治亞理工學(xué)院提供價值290萬美元合同以支持其三維芯片制冷技術(shù)的研發(fā)等。

而在2015年，國會完善了研發(fā)稅收抵免制度。同年7月，美國頒布行政命令設(shè)立“國家戰(zhàn)略計算計劃”，其中一個關(guān)鍵目標就是在未來15年里，在目前半導(dǎo)體技術(shù)受到限制的情況下，開創(chuàng)一條通往未來高性能計算系統(tǒng)的可行道路。美國聯(lián)邦政府其他的支持工作還包括：半導(dǎo)體技術(shù)先進研究網(wǎng)絡(luò)，安全與可靠的網(wǎng)絡(luò)空間計劃中的“安全、可信、保障和彈性的半導(dǎo)體系統(tǒng)”項目，2020及未來納米電子器件發(fā)展計劃，以及節(jié)能計算：從設(shè)備到架構(gòu)計劃。