多場(chǎng)景應(yīng)用 光芯片市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)

時(shí)間:2018-11-08

來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導(dǎo)語(yǔ):從光器件產(chǎn)業(yè)鏈看,主要環(huán)節(jié)為“光芯片、光器件、光模塊、光設(shè)備”,最終應(yīng)用于電信市場(chǎng)、數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)及消費(fèi)電子市場(chǎng)。

【中國(guó)傳動(dòng)網(wǎng) 行業(yè)動(dòng)態(tài)】 從光器件產(chǎn)業(yè)鏈看,主要環(huán)節(jié)為“光芯片、光器件、光模塊、光設(shè)備”,最終應(yīng)用于電信市場(chǎng)、數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)及消費(fèi)電子市場(chǎng)。其中,光芯片處于產(chǎn)業(yè)鏈的核心位置,具有高技術(shù)壁壘,占據(jù)了產(chǎn)業(yè)鏈的價(jià)值制高點(diǎn)。

光芯片主要用于光電信號(hào)轉(zhuǎn)換,遵循“Chip–OSA–Transceiver”的封裝順序,激光器芯片(Chip)通過(guò)傳統(tǒng)的TO封裝或新興的多模COB封裝形式制成光模塊(Transceiver)。在光通信系統(tǒng)中,常用的核心光芯片主要包括DFB、EML、VCSEL三種類型,分別應(yīng)用于不同傳輸距離和成本敏感度的應(yīng)用場(chǎng)景。

光芯片屬于技術(shù)密集型行業(yè),具有極高的技術(shù)壁壘和復(fù)雜的工藝流程。因此,光芯片在光器件/光模塊中成本占比較大。此外,隨著芯片速率的提升,制備難度增大,成本占比或進(jìn)一步提升。一般情況下,對(duì)于低速率光模塊/光器件(轉(zhuǎn)換速率小于10Gbps),光芯片的成本占比約為30%左右;而對(duì)于高速光模塊/光器件(調(diào)制速率大于25Gbps),芯片的成本占比約為60%左右。例如,全球數(shù)通光模塊龍頭中際旭創(chuàng)(公司主力產(chǎn)品為100GQSFP28,采用25G光芯片),整體光芯片及組件成本占比在50%左右。相較于電芯片,目前光芯片市場(chǎng)規(guī)模較小,分工程度有限,垂直一體化的IDM廠商市場(chǎng)份額超過(guò)50%。但伴隨VCSEL芯片的消費(fèi)電子市場(chǎng)打開(kāi),芯片市場(chǎng)規(guī)模加速擴(kuò)展,分工程度有望提升,第三方代工模式逐漸興起。

規(guī)模:為什么市場(chǎng)規(guī)模加速增長(zhǎng)且“一望無(wú)際”?

伴隨流量加速爆發(fā),光芯片市場(chǎng)規(guī)模加速增長(zhǎng):(1)電信市場(chǎng):傳輸網(wǎng)擴(kuò)容正當(dāng)時(shí),接入網(wǎng)逐步向10GPON升級(jí),5G基站大規(guī)模建設(shè)或帶來(lái)超20億美元光芯片市場(chǎng)空間,為4G時(shí)代2.8倍。(2)數(shù)據(jù)中心市場(chǎng):數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)需求持續(xù)井噴。(3)消費(fèi)電子市場(chǎng):VCSEL芯片切入消費(fèi)電子市場(chǎng),市場(chǎng)空間拓展10-100倍。隨著硅光集成度提升帶來(lái)價(jià)值占比提升,未來(lái)成長(zhǎng)空間“一望無(wú)際”。

1光芯片市場(chǎng)規(guī)模有望持續(xù)高增長(zhǎng)

從細(xì)分市場(chǎng)看,光芯片主要應(yīng)用于電信市場(chǎng)、數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)、以及消費(fèi)電子市場(chǎng)。其中,電信市場(chǎng)主要應(yīng)用于傳輸網(wǎng)、接入網(wǎng)以及無(wú)線基站,市場(chǎng)份額占比約60%左右;數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)主要應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心內(nèi)部互聯(lián)、連接數(shù)據(jù)中心間的DCI網(wǎng)絡(luò),市場(chǎng)份額占比約30%左右;消費(fèi)電子市場(chǎng)主要包括手機(jī)3D感應(yīng)系統(tǒng)(內(nèi)含VCSEL芯片),市場(chǎng)份額占比約10%左右。對(duì)于三大細(xì)分市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì),我們的判斷是:電信市場(chǎng)近期保持穩(wěn)定,有望迎來(lái)5G高增長(zhǎng)機(jī)遇,數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)將快速增長(zhǎng),消費(fèi)電子市場(chǎng)規(guī)模有望呈爆發(fā)式增長(zhǎng)。三大細(xì)分市場(chǎng)共同驅(qū)動(dòng)光芯片市場(chǎng)空間持續(xù)拓展。

根據(jù)ICCSZ統(tǒng)計(jì),在不考慮消費(fèi)電子VCSEL激光市場(chǎng)規(guī)模的情況下,2015年中國(guó)光器件市場(chǎng)規(guī)模為16.2億美元,到2020年有望達(dá)到26.8億美元,增長(zhǎng)65.4%。若考慮消費(fèi)電子VCSEL激光器,國(guó)內(nèi)光芯片市場(chǎng)從2018年開(kāi)始將加速拓展。預(yù)計(jì)光芯片在光器件的成本占比為50%,2015—2020年間國(guó)內(nèi)光芯片市場(chǎng)規(guī)模有望從2015年的8.1億美元增長(zhǎng)到2020年的21.4億美元,年均復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)21.4%。

2電信市場(chǎng):近期保持穩(wěn)定,有望迎5G高增長(zhǎng)機(jī)遇

從電信市場(chǎng)看:有線方面,傳輸網(wǎng)擴(kuò)容愈加緊迫,城域網(wǎng)100G逐漸下沉;接入網(wǎng)由GPON/EPON向10GPON升級(jí)。無(wú)線基站方面,目前正處于4G建設(shè)后期,需求相對(duì)疲軟。隨著5G基站大規(guī)模建設(shè)逐漸開(kāi)啟,有望迎來(lái)5G高增長(zhǎng)機(jī)遇。

2.1傳輸網(wǎng)擴(kuò)容正當(dāng)時(shí),DFB/EML芯片需求穩(wěn)步增長(zhǎng)

隨著流量持續(xù)增長(zhǎng),網(wǎng)絡(luò)升級(jí)將遵循:骨干網(wǎng)→城域網(wǎng)→接入網(wǎng)→骨干網(wǎng)的循環(huán)過(guò)程,對(duì)高速光芯片形成持續(xù)而穩(wěn)定的需求。

國(guó)內(nèi)骨干網(wǎng)100G升級(jí)自2013年開(kāi)始大規(guī)模進(jìn)行,城域網(wǎng)將逐步提升100G的滲透率。自2017年8月份以來(lái),三大運(yùn)營(yíng)商先后落實(shí)資金開(kāi)啟傳輸網(wǎng)100G設(shè)備端口集采,同比去年有較大幅度的提升。我們認(rèn)為,5G建設(shè)傳輸先行,隨著傳輸網(wǎng)擴(kuò)容的持續(xù)推進(jìn),對(duì)DFB/EML芯片的需求有望持續(xù)提升。

2.2接入網(wǎng)向10GPON升級(jí),DFB芯片需求有望提升

接入網(wǎng)用于連接傳輸網(wǎng)與終端,傳輸距離較短。目前,點(diǎn)到多點(diǎn)(P2MP)的光纖接入方式PON(passiveopticalnetwork)是我國(guó)運(yùn)營(yíng)商采用的光纖接入方式,多采用EPON或GPON。隨著4K/8K視頻、VR/AR等技術(shù)的發(fā)展,EPON和GPON已逐漸無(wú)法適應(yīng)用戶對(duì)帶寬的需求。為實(shí)現(xiàn)網(wǎng)路的平滑升級(jí),PON的升級(jí)將成為關(guān)鍵因素,EPON和GPON有望向10GPON技術(shù)升級(jí)。

考慮到成本,在GPON/EPON方面,國(guó)內(nèi)大多采用FP激光器。在10GPON時(shí)代,需要采用DFB激光器。目前,國(guó)內(nèi)具備自主生產(chǎn)DFB光芯片的企業(yè)較少,大量依賴于國(guó)外進(jìn)口。隨著接入網(wǎng)升級(jí)的全面展開(kāi),具備10GDFB芯片量產(chǎn)能力的光器件廠商有望充分受益于行業(yè)需求紅利。

2.3無(wú)線基站近兩年需求放緩,5G時(shí)代芯片需求有望大幅回暖

自2015年起,4G基站建設(shè)整體進(jìn)入中后期,近兩年需求有所下滑。2020年,5G規(guī)模商用開(kāi)啟,有望再次拉動(dòng)對(duì)光模塊的需求,市場(chǎng)空間超45億美元,按照芯片成本占比50%估算,市場(chǎng)空間超20億美元。據(jù)測(cè)算,5G基站光芯片市場(chǎng)規(guī)模約為4G基站2.8倍左右。與4G基站光模塊市場(chǎng)相比,5G基站的建設(shè)對(duì)光芯片的需求將持續(xù)提升:(1)從基站數(shù)量看:由于5G頻譜頻率上升,信號(hào)穿透建筑物的衰減較大,建站密度與4G基站相比將更高。預(yù)計(jì)未來(lái)6年內(nèi)(2019—2024)有望建設(shè)581.4萬(wàn)個(gè)5G基站,密度是4G基站數(shù)的1.36倍。(2)從單基站光模塊數(shù)看:5G基站架構(gòu)從4G的前傳-回傳演進(jìn)到前傳—中傳—回傳,單個(gè)基站需要的光模塊數(shù)有望達(dá)8—10個(gè),較4G基站有所增加。

芯片方面,5G基站前傳至少為25GQSFP28,主要采用DBF/EML芯片。中傳回傳有望采用10GSFP+光模塊,主要采用DBF/EML芯片。目前正處于4G基站與5G基站建設(shè)交替期,需求階段性放緩。而隨著5G商用將至,對(duì)于光芯片的需求將大幅提升,相關(guān)光芯片廠商有望迎接5G時(shí)代的高增長(zhǎng)機(jī)遇。

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