南韓產(chǎn)業(yè)通商資源部/科學(xué)技術(shù)情報通信部17日公布統(tǒng)計數(shù)據(jù)指出，2018年12月份南韓半導(dǎo)體出口額較前年同月下滑9%至89.6億美元，為2年3個月來首度陷入萎縮，其中對中國的半導(dǎo)體出口額大減約2成。

就品項別來看，12月南韓占整體半導(dǎo)體出口額比重逾7成的記憶體出口額萎縮1成。最近3個月來DRAM標(biāo)準(zhǔn)品價格下滑近2成。

就2018年全年來看，南韓半導(dǎo)體出口額年增28.6%至1,281.5億美元、年間出口額創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄；其中2018年南韓對中國的半導(dǎo)體出口額年增29.1%至857.8億美元、創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄，占整體半導(dǎo)體出口額比重近7成。

三星電子8日公布2018年第四季初步財報，表示因記憶體市況惡化，拖累營益將為2年來首度陷入萎縮。

日本電子情報技術(shù)產(chǎn)業(yè)協(xié)會(JEITA)2018年11月27日發(fā)布新聞稿指出，世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會(WSTS)在最新公布的預(yù)測報告中，以美中貿(mào)易摩擦(貿(mào)易戰(zhàn))、全球經(jīng)濟(jì)不明因素多為由，將2019年全球半導(dǎo)體銷售額成長率預(yù)估值自2018年6月預(yù)估的年增4.4%下修至年增2.6%，年增幅將創(chuàng)3年來(2016年以來、年增1.1%)新低水準(zhǔn)。

其中，WSTS預(yù)估2019年記憶體(Memory)銷售額將年減0.3%至1,645.43億美元，將3年來首度陷入萎縮，且遠(yuǎn)遜于6月時預(yù)估的年增3.7%。

日經(jīng)新聞2018年10月5日報導(dǎo)，韓國投資證券表示，全球半導(dǎo)體巨擘三星電子2018年半導(dǎo)體設(shè)備投資額約27兆韓圜、持平于2017年水準(zhǔn)，不過2019年預(yù)估將較2018年減少約8%。韓國投資證券預(yù)估，三星2019年對NAND型快閃記憶體(FlashMemory)的投資雖將若干增加、不過對DRAM預(yù)估會減少2成以上。

日經(jīng)新聞2018年10月31日報導(dǎo)，全球第2大NANDFlash廠商東芝記憶體(TMC)和其合作伙伴美國WesternDigital(WD)計畫將雙方共同營運(yùn)的四日市工廠部分制造設(shè)備導(dǎo)入時間進(jìn)行延后。報導(dǎo)指出，四日市工廠內(nèi)的「第6廠房(Fab6)」已完成廠房的興建，不過原先預(yù)計在2018年內(nèi)搬入的設(shè)備將延后數(shù)個月時間、于2019年春天才會進(jìn)行搬入，主因智慧手機(jī)出貨量低迷、導(dǎo)致記憶體價格下滑，因此將放緩增產(chǎn)速度。

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