近年來國內科技迎來飛速發(fā)展，但看似繁榮昌盛的背后，也隱藏了諸多的隱患，困擾我們許久的“缺芯少魂”問題，至今都未能很好的解決，和老美之間的科技競爭，已經(jīng)被擺上了臺面。

　　中國工業(yè)起步較晚，也導致了在半導體領域基礎不穩(wěn)固，導致最先進的制程工藝卡在了14nm上，而且還要高度依賴于海外的技術，而華為之前就是太過于相信“科技無國界”，導致吃了大虧。

　　華為有能力設計出尖端的5nm芯片，但憑借著國內工藝根本制造不出來，未能展開全產(chǎn)業(yè)鏈的布局，也導致先進的技術無用武之地，好在華為已經(jīng)習慣了“技術創(chuàng)新”，并沒有因此而陷入困境當中。

　　說白了現(xiàn)階段的科技競爭，就是搭載在芯片工藝基礎上的，誰能夠獲取更為先進的芯片，就能夠在未來掌控全局，目前國內的企業(yè)也在芯片領域，展開了全面的沖刺，好消息也不斷的傳了出來。

　　提到先進的芯片制造，不得不提的就是EUV光刻機了，ASML作為全球唯一的廠商，在設備進出口上，已經(jīng)遭到了老美的嚴格管控，無法獲取先進的光刻機，也讓國內芯片產(chǎn)業(yè)停滯不前。

　　而如今老美意在重塑本土半導體產(chǎn)業(yè)，因此短期之內放開EUV光刻機供應，基本上是不存在任何的可能性的，原因就在于ASML也只是組裝廠，光刻機是集結了來自全球20多個國家的尖端產(chǎn)物。

　　在老美的相關限制下，反而加速了華為的成長，5G技術更加的精進，坐穩(wěn)了領頭羊的位置，在技術上至少領先了歐美2-3年，除了在5G領域的成就之外，我國在航空航天等等領域上，也都實現(xiàn)了趕超。

　　為了追趕臺積電，很顯然三星也在努力的采購ASML的最新一代光刻機，而花費也是巨大的。

　　據(jù)韓國媒體報道稱，三星電子和ASML就引進今年生產(chǎn)的EUV光刻機和明年推出高數(shù)值孔徑極紫外光High-NA EUV光刻機達成采購協(xié)議。

　　High-NA EUV光刻機精密度更高、設計零件更多，是延續(xù)摩爾定律的關鍵，推動2nm以下制程，估計每臺要價4億美元。

　　ASML今年只能生產(chǎn)50臺EUV設備，交貨周期為1年6個月，ASML有限的生產(chǎn)能力和較長的交貨時間正加劇各大晶圓代工廠訂購 High-NA EUV光刻機的競爭。

　　在這之前， Intel已率先與ASML采購5臺這款新設備，還宣稱2024年初就能生產(chǎn)2nm、2024 年下半更能生產(chǎn)1.8nm。臺積電稱會在2024年擁有ASML次世代最先進的光刻機。

　　有消息人士透露，三星電子已獲得ASML今年EUV光刻機產(chǎn)能中的18臺。這意味三星僅在EUV光刻機上就將投資超過4兆韓元。

　　新建光的刻機制造的車間，ASML已正式做了決定

　　ASML是世界上最好的光刻機供應商，他們的DUV光刻機和EUV光刻機，已經(jīng)占據(jù)了中、高端的市場。

　　而EUV光刻機的出現(xiàn)，讓臺積電、三星、英特爾等公司，都在采購EUV光刻機，但因為產(chǎn)能的限制，三星等公司的EUV光刻機，也出現(xiàn)了嚴重的短缺。

　　據(jù)報道，三星公司很早以前就表示，希望ASML公司可以為其生產(chǎn)更多的EUV光刻機和其他設備，同時也想要優(yōu)先采購新一代的光刻機。

　　ASML公司在韓國建立了EUV光刻機的生產(chǎn)基地，以滿足EUV光刻機的生產(chǎn)需求，并將EUV光刻機交給三星等公司。

　　緊接著ASML宣布，將擴大EUV光刻機等設備的生產(chǎn)規(guī)模，在2022年、2023年完成115部EUV光刻機的生產(chǎn)，加快NAEUV光刻機的研發(fā)。

　　現(xiàn)在ASML已經(jīng)下定決心，要建立一條新的光刻機生產(chǎn)線，讓光刻機的產(chǎn)能更上一層樓。

　　ASML公司的官方信息顯示，新加坡的第二個生產(chǎn)車間將會在2023年初投入生產(chǎn)。

　　擴建后，新加坡光刻機的產(chǎn)能將翻三番，而全球產(chǎn)能也將翻一番。

　　ASML之所以會在新加坡擴大產(chǎn)能，建造新的光刻機，也是有原因的。

　　首先，對光刻機的需求量，已經(jīng)越來越大了。

　　由于全球缺芯，各大晶圓廠紛紛加大產(chǎn)能，三星將投入2000億美金擴大生產(chǎn)規(guī)模，而臺積電、英特爾等公司則打算投入1000億美金擴大生產(chǎn)規(guī)模。

　　就連中芯國際、格芯、聯(lián)電等芯片代工企業(yè)，也都開始擴充自己的芯片生產(chǎn)規(guī)模，而三星、SK、海力士、美光等公司，都在不斷地提高自己的生產(chǎn)技術，對光刻機的需求量也越來越大。

　　此外，ASML公司還透露，由于全球缺芯，導致了各個大型晶圓廠的產(chǎn)能擴張，擴大生產(chǎn)所需的光刻機和其他設備，在接下來的兩年里，都會有大量的缺貨。

　　這也是ASML公司不斷擴充其能力的一個重要因素。

　　其次，亞洲是ASML最大的市場。

　　ASML公司的總部位于荷蘭，但是ASML公司是一家全球性的公司，它的研發(fā)和生產(chǎn)，涉及到了40多個國家和地區(qū)。

　　而ASML的生產(chǎn)基地遍布世界各地，荷蘭，德國，美國，新加波，更是遍布世界各地。

　　但從市場角度看，ASML最大的市場是亞洲，它的主要依靠中國、韓國，單是中韓兩國的芯片公司每年就為ASML帶來超過130億歐元的收入。

　　用于生產(chǎn) 2nm 芯片的 ASML 新款光刻機預計在 2025 年首次投入使用，對芯片廠商而言，“2nm 工藝戰(zhàn)”已經(jīng)打響。

　　對于芯片廠商而言，要想發(fā)展先進制程，光刻機是關鍵設備。而從工藝技術和制造成本綜合因素考量，EUV 光刻機(極紫外光刻)被普遍認為是 7nm 及以下工藝節(jié)點的最佳選擇。目前，在全球范圍內僅有荷蘭的 ASML 公司能供應 EUV 光刻機。

　　據(jù)介紹，ASML 的 EUV 光刻技術使用 13.5 nm 的波長(幾乎是 X 射線范圍)，在微芯片上形成精細的線條。用于大批量制造，以創(chuàng)建先進的微芯片(7 nm、5 nm 和 3 nm 節(jié)點)高度復雜的基礎層，并支持新穎的晶體管設計和芯片架構。

　　日前，在 2022 SPIE 高級光刻會議上，ASML 介紹了 EUV 的最新進展。

　　根據(jù) ASML 最新消息，新款 EUV 光刻機正在研發(fā)中，NA 將從 0.33 增加到 0.55(NA 是光學系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，表示光線的入射角度)，2nm 工藝的芯片都將依賴其實現(xiàn)。

　　為什么要沖刺高 NA EUV 光刻機?

　　光刻系統(tǒng)所能達到的分辨率是光刻收縮的主要驅動因素之一，它主要由所用光的波長和光學系統(tǒng)的數(shù)值孔徑?jīng)Q定。更短的波長可以打印出更小的特征;更大的數(shù)值孔徑可以更緊密地聚焦光線，也能夠帶來更好的分辨率。

　　ASML 光刻系統(tǒng)的發(fā)展一直是通過減少波長和增加數(shù)值孔徑來進行演進。

　　目前，ASML 的主力產(chǎn)品是 0.33NA EUV 光刻機，并正在大批量生產(chǎn)中。對于 0.33 NA 系統(tǒng)，ASML 正致力于通過增加吞吐量和降低總能量來減少每次曝光所需的能量。

　　在發(fā)力 0.33 NA EUV 光刻機的同時，ASML 也在沖刺研發(fā) 0.55 NA EUV 光刻機。