今天的Q2財(cái)報(bào)會(huì)議上，臺(tái)積電除了公布當(dāng)季運(yùn)營(yíng)數(shù)據(jù)之外，還談到了工藝進(jìn)展，確認(rèn)3nm工藝今年下半年量產(chǎn)，2nm則會(huì)在2025年量產(chǎn)。
目前HPC高性能計(jì)算占了臺(tái)積電營(yíng)收的重要部分，對(duì)先進(jìn)工藝要求也是很高的，臺(tái)積電的3nm工藝今年下半年量產(chǎn)，明年上半年貢獻(xiàn)營(yíng)收，不過(guò)初期會(huì)拉低一些毛利率，大約2-3個(gè)點(diǎn)。
臺(tái)積電的3nm工藝共有5個(gè)衍生版本，包括N3、N3P、N3S、N3X、N3E等等，會(huì)陸續(xù)在未來(lái)兩三年內(nèi)量產(chǎn)。
再往后就是2nm節(jié)點(diǎn)了，這是臺(tái)積電的有一個(gè)重大節(jié)點(diǎn)，會(huì)采用納米片晶體管(Nanosheet)，取代FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)，也就是進(jìn)入GAA晶體管時(shí)代，不過(guò)三星在3nm節(jié)點(diǎn)就已經(jīng)采用這個(gè)技術(shù)了。
N2相較于N3，在相同功耗下，速度快10~15%;相同速度下，功耗降低25~30%，開(kāi)啟高效能新紀(jì)元。
不過(guò)密度方面擠牙膏了，相比3nm僅提升了10%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到摩爾定律密度翻倍的要求，比之前臺(tái)積電新工藝至少70%的密度提升也差遠(yuǎn)了。
根據(jù)臺(tái)積電的信息，2nm工藝將在2024年試產(chǎn)，2025年量產(chǎn)。
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