超1000億,三星加碼NAND閃存、晶圓代工等新技術研發(fā)
近日,市場傳出,半導體大廠三星電子將在本月開設一個新的研發(fā)中心,負責更先進NAND Flash產品研發(fā)。
最新消息是,三星電子已于8月19日在韓國京畿道器興園區(qū)舉行了下一代半導體研發(fā)(R&D)園區(qū)動工儀式。
據(jù)韓聯(lián)社報道,該研發(fā)園區(qū)總面積約10.9萬平方米,將主管NAND閃存、晶圓代工、系統(tǒng)芯片等新技術研發(fā)。三星電子計劃到2028年對該園區(qū)投資約20萬億韓元(約合人民幣1030億元)。
據(jù)悉,這是三星電子自2014年以來時隔8年在國內新建研發(fā)中心。三星電子相關人士表示,若建成具備尖端設備的研發(fā)中心,有望縮短新一代產品研發(fā)時間,提升半導體質量。
中傳動網版權與免責聲明:
凡本網注明[來源:中國傳動網]的所有文字、圖片、音視和視頻文件,版權均為中國傳動網(www.connectcrack.com)獨家所有。如需轉載請與0755-82949061聯(lián)系。任何媒體、網站或個人轉載使用時須注明來源“中國傳動網”,違反者本網將追究其法律責任。
本網轉載并注明其他來源的稿件,均來自互聯(lián)網或業(yè)內投稿人士,版權屬于原版權人。轉載請保留稿件來源及作者,禁止擅自篡改,違者自負版權法律責任。
如涉及作品內容、版權等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內與本網聯(lián)系,否則視為放棄相關權利。
下一篇:
?
半導體材料“卡脖子”問題待解,張汝京攜30億項目再出手?
據(jù)悉,該項目總投資約150億元,其中一期總投資約78億元,新建8英寸和12英寸集成電路生產線,光掩膜版生產線,芯片測試廠。2021年8月,青島芯恩正式宣布8英寸...