據(jù)悉，隨著國(guó)務(wù)院相關(guān)方面關(guān)于集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略部署不斷推進(jìn)，深圳市作為集成電路的核心產(chǎn)業(yè)的核心地點(diǎn)，不得不以最快的速度開始推進(jìn)整個(gè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和落實(shí)，這次的文件配合之前的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群計(jì)劃行動(dòng)的文件，制定了多項(xiàng)措施。

　　其中最主要的就是前三點(diǎn)，適用機(jī)構(gòu)和重點(diǎn)支持領(lǐng)域、全面提升產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)以及加速突破基礎(chǔ)支撐環(huán)節(jié)。

　　首先就是適用機(jī)構(gòu)和重點(diǎn)支持領(lǐng)域，文件提出重點(diǎn)支持高端通用芯片、專用芯片和核心芯片、化合物半導(dǎo)體芯片等芯片設(shè)計(jì);硅基集成電路制造;氮化鎵、碳化硅等化合物半導(dǎo)體制造;高端電子元器件制造;晶圓級(jí)封裝、三維封裝、Chiplet(芯粒)等先進(jìn)封裝測(cè)試技術(shù);EDA 工具、關(guān)鍵 IP 核技術(shù)開發(fā)與應(yīng)用;光刻、刻蝕、離子注入、沉積、檢測(cè)設(shè)備等先進(jìn)裝備及關(guān)鍵零部件生產(chǎn);以及核心半導(dǎo)體材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。

　　還要重點(diǎn)突破 CPU、GPU、DSP、FPGA 等高端通用芯片的設(shè)計(jì)，布局人工智能芯片、邊緣計(jì)算芯片等專用芯片的開發(fā)。以 5G 通信產(chǎn)業(yè)為牽引，全面突破射頻前端芯片、基帶芯片、光電子芯片等核心芯片。

　　有關(guān)方面會(huì)積極協(xié)調(diào)深圳支持建設(shè)的集成電路生產(chǎn)線和中試線開放一定產(chǎn)能，服務(wù)深圳中小設(shè)計(jì)企業(yè)的流片需求。支持集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)加大新產(chǎn)品研發(fā)力度，重點(diǎn)支持集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)流片和掩模版制作。

　　同時(shí)支持建設(shè)高端片式電容器、電感器、電阻器等電子元器件生產(chǎn)線。支持代表新發(fā)展方向的半導(dǎo)體與集成電路制造重大項(xiàng)目落戶，鼓勵(lì)既有集成電路生產(chǎn)線改造升級(jí)。

　　加快 MOSFET 模塊等功率器件、高密度存儲(chǔ)器封裝技術(shù)的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，重點(diǎn)突破晶圓級(jí)、系統(tǒng)級(jí)、凸塊、倒裝、硅通孔、面板級(jí)扇出型、三維、真空、Chiplet(芯粒)等先進(jìn)封裝核心技術(shù)，以及脈沖序列測(cè)試、IC 集成探針卡等先進(jìn)晶圓級(jí)測(cè)試技術(shù)。

　　然后就是加速突破基礎(chǔ)支撐環(huán)節(jié)，主要是加快EDA核心技術(shù)攻關(guān)。推動(dòng)模擬、數(shù)字、射頻集成電路等 EDA 工具軟件實(shí)現(xiàn)全流程國(guó)產(chǎn)化。支持開展先進(jìn)工藝制程、新一代智能、超低功耗等 EDA 技術(shù)的研發(fā)。

　　在現(xiàn)有骨干企業(yè)基礎(chǔ)上加快光掩模、光刻膠、聚酰亞胺、濺射靶材、高純度化學(xué)試劑、電子氣體、蝕刻液、清洗劑、拋光液、電鍍液功能添加劑、氟化冷卻液、陶瓷粉體等半導(dǎo)體材料的研發(fā)生產(chǎn);同時(shí)進(jìn)行集成電路關(guān)鍵設(shè)備及零部件研發(fā)，推進(jìn)檢測(cè)設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、高真空泵等高端設(shè)備部件和系統(tǒng)集成開展持續(xù)研發(fā)和技術(shù)攻關(guān)。

　　這將基本表明了在半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域的決心和政策扶持，大量的資金投入都會(huì)進(jìn)入半導(dǎo)體的各種細(xì)分產(chǎn)業(yè)鏈來擺脫現(xiàn)階段對(duì)國(guó)外核心技術(shù)的依賴，從EDA到光刻膠，從上游到下游，這份文件的發(fā)布表明，將開啟半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的全產(chǎn)業(yè)國(guó)產(chǎn)化。