導語:相變存儲器是一種新的非易失性存儲技術,采用NOR/NAND閃存方案,因此即使不加電的情況下仍然可以保存數(shù)據(jù),但是擁有更高的寫入速度和耐久性能
英特爾和意法半導體合資企業(yè)恒憶(Numonyx, B.V.)上周披露了首批Omneo系列相變存儲設備,定位嵌入式應用領域,相變存儲器是一種新的非易失性存儲技術,采用NOR/NAND閃存方案,因此即使不加電的情況下仍然可以保存數(shù)據(jù),但是擁有更高的寫入速度和耐久性能。
“相比1988年出現(xiàn)的快閃記憶體,如今高密度存儲技術正引領存儲行業(yè)的發(fā)展”,恒憶副總裁兼嵌入式產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Glen Hawk表示,“如今設計師必須用不同種類的存儲器分別進行代碼和運行的操作,如今恒憶的Omneo PCM的問世,為用戶提供了一個極為簡單的單設備解決方案”。
恒憶的相變存儲設備包括Omneo P5Q PCM 和P8P PCM,均采用90納米工藝技術,容量為128Mb,分別包括一個串行設備和并行NOR接口。相變存儲設備目前已經(jīng)進入量產(chǎn)階段,預計可在有線和無線通信,消費電子,電腦以及其他嵌入式應用中使用。
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