2月22日，工業(yè)和信息化部在其網(wǎng)站發(fā)布了《新材料產(chǎn)業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃》(以下簡稱《規(guī)劃》)?！兑?guī)劃》對新材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢、總體思路、未來發(fā)展重點、區(qū)域如何布局、“十二五”期間組織實施的重大工程和重點項目，以及相關(guān)保障措施進行了詳細的闡述和說明。LED相關(guān)砷化鎵單晶材料、藍寶石材料、碳化硅晶片、氮化鎵外延片入選新材料“十二五”重點產(chǎn)品目錄，成為“十二五”新材料發(fā)展重點。

　　《規(guī)劃》指出，根據(jù)《中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十二個五年規(guī)劃綱要》和《國務(wù)院關(guān)于加快培育和發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的決定》的總體部署，工業(yè)和信息化部會同發(fā)展改革委、科技部、財政部等有關(guān)部門和單位編制了《新材料產(chǎn)業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃》。本規(guī)劃是指導未來五年新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展的綱領(lǐng)性文件，是配置政府公共資源和引導企業(yè)決策的重要依據(jù)。

　　半導體材料作為新材料發(fā)展重點之一，將以高純度、大尺寸、低缺陷、高性能和低成本為主攻方向，逐步提高關(guān)鍵材料自給率。開發(fā)電子級多晶硅、大尺寸單晶硅、拋光片、外延片等材料，積極開發(fā)氮化鎵、砷化鎵、碳化硅、磷化銦、鍺、絕緣體上硅(SOI)等新型半導體材料，以及銅銦鎵硒、銅銦硫、碲化鎘等新型薄膜光伏材料，推進高效、低成本光伏材料產(chǎn)業(yè)化。

　　《規(guī)劃》指出，進入新世紀以來，我國新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，2010年我國新材料產(chǎn)業(yè)規(guī)模超過6500億元，與2005年相比年均增長約20%。其中，稀土功能材料、先進儲能材料、光伏材料、有機硅、超硬材料、特種不銹鋼、玻璃纖維及其復合材料等產(chǎn)能居世界前列。

　　但是，我國新材料產(chǎn)業(yè)總體發(fā)展水平仍與發(fā)達國家有較大差距，產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨一些亟待解決的問題，主要表現(xiàn)在：新材料自主開發(fā)能力薄弱，大型材料企業(yè)創(chuàng)新動力不強，關(guān)鍵新材料保障能力不足;產(chǎn)學研用相互脫節(jié)，產(chǎn)業(yè)鏈條短，新材料推廣應(yīng)用困難，產(chǎn)業(yè)發(fā)展模式不完善;新材料產(chǎn)業(yè)缺乏統(tǒng)籌規(guī)劃和政策引導，研發(fā)投入少且分散，基礎(chǔ)管理工作比較薄弱。

　　《規(guī)劃》提出，到2015年，建立起具備一定自主創(chuàng)新能力、規(guī)模較大、產(chǎn)業(yè)配套齊全的新材料產(chǎn)業(yè)體系，突破一批國家建設(shè)急需、引領(lǐng)未來發(fā)展的關(guān)鍵材料和技術(shù)，培育一批創(chuàng)新能力強、具有核心競爭力的骨干企業(yè)，形成一批布局合理、特色鮮明、產(chǎn)業(yè)集聚的新材料產(chǎn)業(yè)基地，新材料對材料工業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整和升級換代的帶動作用進一步增強。