隨著2012年第一季度即將過去，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走勢(shì)也逐漸明朗，在走訪了多家半導(dǎo)體廠商后，2012年幾大熱點(diǎn)應(yīng)用逐漸浮出水面，它們是智能手機(jī)、平板電腦、軌道交通、新能源、混合動(dòng)力汽車、LED照明、便攜醫(yī)療電子產(chǎn)品等，這也帶動(dòng)了幾類元器件的走熱，這里匯集半導(dǎo)體廠商的分析，談?wù)?012年最值得關(guān)注的五類半導(dǎo)體器件。

1、 主控類處理器---關(guān)注ARM Cortex-A5/ A8處理器產(chǎn)品 

      2011年，智能手機(jī)的快速起量讓很多廠商始料不及，2012年春節(jié)以后，這樣的趨勢(shì)繼續(xù)延續(xù)，而且低價(jià)智能手機(jī)繼續(xù)受到熱捧，近日，德勤發(fā)布的電信行業(yè)2012年發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè)指出，100美元智能手機(jī)的普及率將持續(xù)增長(zhǎng)，以滿足不斷上升的通信和信息溝通的需要。到2012年底，全球這種低成本的智能手機(jī)用戶預(yù)計(jì)將超過5億人。

      100美元智能手機(jī)的崛起是源于消費(fèi)者希望取代更加基礎(chǔ)的手機(jī)，又不需要高端設(shè)備的功耗或功能。新興市場(chǎng)的互聯(lián)網(wǎng)普及度較低，但是對(duì)通信和信息服務(wù)的需求卻不斷增加，因此蘊(yùn)含最大商機(jī)，這樣的需求催生了平價(jià)Cortex-A5雙核處理器的需求，A5俗稱縮小版A9，其ARM中國(guó)區(qū)總裁吳雄昂也表示，A5雙核處理器將成為入門級(jí)智能手機(jī)的標(biāo)配，這種處理器主頻在400到800MHz左右，支持Android應(yīng)用，其他還包括支持多點(diǎn)觸控、500萬像素的攝影鏡頭、Hotspots等等，博通已經(jīng)推出了這類處理器，其他廠商也會(huì)陸續(xù)推出。

圖1 Cortex-A5處理器框圖

而中低價(jià)平板電腦的走熱則會(huì)拉動(dòng)ARM Cortex-A8處理器的需求。目前很多廠商陸續(xù)推出了5美元左右的ARM Cortex-A8處理器，主打領(lǐng)域?yàn)楣I(yè)、教育、物流等垂直應(yīng)用市場(chǎng)，在2012年慕尼黑上海電子展上，ARM中國(guó)移動(dòng)計(jì)算市場(chǎng)經(jīng)理陳鵬將出席國(guó)際便攜技術(shù)創(chuàng)新論壇R發(fā)表演講，分享ARM移動(dòng)策略，歡迎工程師朋友報(bào)名參會(huì)了解詳情。

2、 功率器件---關(guān)注SiC的成長(zhǎng)

      在節(jié)能減排的大趨勢(shì)下，功率半導(dǎo)體廠商都在想法設(shè)法讓器件節(jié)約每個(gè)庫(kù)倫的電量，在MOSFET方面，飛兆半導(dǎo)體、英飛凌、威世半導(dǎo)體等等都在開發(fā)導(dǎo)通電阻更低的產(chǎn)品，這些廠商不斷刷新MOSFET新的導(dǎo)通電阻記錄，另一方面，一些廠商也在積極基于新材料例如SiC 的功率器件的發(fā)展，例如羅姆半導(dǎo)體（ROHM）在其未來發(fā)展4大戰(zhàn)略中，其中之一是“功率元器件”戰(zhàn)略。羅姆于2010年4月開始SiC-SBD的量產(chǎn)，2010年12月世界首家開始SiC-MOSFET的量產(chǎn)。羅姆半導(dǎo)體認(rèn)為，SiC器件應(yīng)用會(huì)在2012年走熱，原因?yàn)?，一、新能源解決方案的熱門技術(shù)是SiC器件。預(yù)計(jì)2012年會(huì)出現(xiàn)新的參與廠家。一直以來，羅姆積極推進(jìn)溝槽型SiC-MOSFET等產(chǎn)品的研究開發(fā)，通過將其量產(chǎn)化，早于其他公司率先推出領(lǐng)先一步的SiC元器件。二、在電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力汽車領(lǐng)域，也是SiC可以發(fā)揮的領(lǐng)域，對(duì)于新能源汽車來說，在控制方面電氣不可或缺。

圖2  羅姆半導(dǎo)體的SiC-MOSFET

3、   被動(dòng)元件---關(guān)注高精密高耐壓阻容元件

      隨著平板電腦智能手機(jī)的走熱，被動(dòng)元件的需求被進(jìn)一步提升，因?yàn)殡娮赢a(chǎn)品優(yōu)異的性能需要更多更精密的被動(dòng)元件來完成，威世半導(dǎo)體就認(rèn)為平板電腦，汽車，醫(yī)療電子，新能源市場(chǎng)中的太陽能、風(fēng)能，混合動(dòng)力和純電動(dòng)汽車，智能手機(jī)，工業(yè)電子市場(chǎng)會(huì)給被動(dòng)元件帶來更多商機(jī)，所以在2012年慕尼黑上海電子展商，威世半導(dǎo)體將展出，具有高達(dá)3W的功率等級(jí)和0.0005Ω的極低阻值的WSLP2512電阻、具有0mm至10mm短電氣行程的線性位置霍爾效應(yīng)傳感器、高精密儀表分流電阻，最小容量提高至470pF的表面貼裝X7R MLCC以及具有+175℃的高溫性能的TH4鉭電容器等等，Vishay亞洲區(qū)事業(yè)發(fā)展部總監(jiān)楊益彰也表示智能手機(jī)會(huì)用到越來越多的MLCC。

      村田也在積極推廣汽車級(jí)別安規(guī)電容，高壓高容值電容等產(chǎn)品。在2012年慕尼黑上海電子展上，村田帶來了一系列新產(chǎn)品。包括用于新能源汽車的高壓電容和安規(guī)電容產(chǎn)品，如村田的汽車電力用貼片陶瓷電容器EVC系列，適用于SiC(碳化硅)半導(dǎo)體的高頻高溫動(dòng)力電子設(shè)備，可以保證150度的操作溫度。此外村田的KJ系列安規(guī)電容是世界上尺寸最小的車載級(jí)安規(guī)電容，適用于EV/HEV的充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器。針對(duì)引擎控制模塊的EMI解決方案，因?yàn)橛泄材６罅骶€圈產(chǎn)品展示。

4、 電池技術(shù)—關(guān)注新型電容器及監(jiān)測(cè)技術(shù) 

      半導(dǎo)體廠商們都認(rèn)為電動(dòng)交通必然是汽車電子行業(yè)的主要焦點(diǎn)。而電池技術(shù)則是焦點(diǎn)中的焦點(diǎn)，沒有好的電池技術(shù)，電動(dòng)交通的成本效益都是難題，目前，原始設(shè)備生產(chǎn)商（OEM）正大量投資在急需技術(shù)上面。如愛普科斯(EPCOS)就開發(fā)了動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)變頻器用的高性能PCC塊狀電力電容器。

      在電動(dòng)交通領(lǐng)域方面，愛普科斯還在提高薄膜電容器的產(chǎn)能，以滿足客戶日益增長(zhǎng)的需求。愛普科斯認(rèn)為在未來幾年內(nèi)燃機(jī)車仍將繼續(xù)成為車輛銷售的主流，因此將繼續(xù)加強(qiáng)在壓電執(zhí)行器方面的優(yōu)勢(shì)。基于我們先進(jìn)的工藝技術(shù)，并以保持性能不變?yōu)榍疤?，我們成功推出的壓電?zhí)行器，內(nèi)電極上已從銀鈀改用銅。

      凌力爾特（Linear）產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理Brian Black則強(qiáng)調(diào)對(duì)于汽車行業(yè)來說，從內(nèi)燃機(jī)過渡到諸如電動(dòng)汽車等替代能源技術(shù)代表著一次重大轉(zhuǎn)變。它需要開發(fā)高容量、高功率密度、安全與堅(jiān)固的能量存儲(chǔ)和輸送系統(tǒng)。

      在下一代電池技術(shù)的開發(fā)方面，仍有很長(zhǎng)的路要走。與第一代混合動(dòng)力汽車 (HEV) 中所使用的鎳氫 (NiMH) 電池相比，新的電池化學(xué)組成通常需要較高精度的測(cè)量和監(jiān)視，以最大限度地延長(zhǎng)汽車的行駛里程并延長(zhǎng)電池組的使用壽命。

5、 存儲(chǔ)應(yīng)用---關(guān)注Nand Flash

      2012年，隨著智能手機(jī)、平板電腦、Ultrabook的井噴式爆發(fā)，有一種半導(dǎo)體器件會(huì)受到產(chǎn)業(yè)的萬眾矚目----這就是Nand Flash，調(diào)研機(jī)構(gòu)更預(yù)測(cè)其火爆程度將超越DRAM，很多機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)OEM/ODM業(yè)者在成本壓力下會(huì)將資源用于NAND Flash而非DRAM，因?yàn)镹AND Flash能給用戶帶來明顯的體驗(yàn)提升，而NAND Flash在2012年的應(yīng)用亮點(diǎn)將在eMMC、SSD和USB3.0上集中綻放！

      而且，在蘋果的示范帶動(dòng)下，NAND Flash出貨將激增，年復(fù)合成長(zhǎng)率高達(dá)70%！據(jù)預(yù)測(cè)，2015年全球媒體平板用NAND flash出貨量將由2011年的16億GB大增10倍至163億GB，而占整體NAND flash出貨量的比重也將由9%上升至17%。此外，預(yù)測(cè)每臺(tái)iPad內(nèi)建的NAND flash平均容量將在2012年上升9.4%至33.8GB。

      另外，支持USB 3.0的英特爾新版處理器IvyBridge已確定會(huì)在4月底上市，布局USB 3.0產(chǎn)品線的廠商都會(huì)獲益，也會(huì)帶動(dòng)筆記本、U盤類產(chǎn)品的升級(jí)。

圖3 東芝的NAND Flash