技術(shù)頻道

一文看懂微流控芯片的工作原理

MEMS技術(shù)全稱MicroElectromechanicalSystem，MEMS設(shè)想是由諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)獲得者RichardFeynman教授于1959年提出，其基本概念...

ROHM開(kāi)發(fā)出業(yè)界頂級(jí)高效率與軟開(kāi)關(guān)兼?zhèn)涞?50V耐壓IGBT “RGTV...

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM新開(kāi)發(fā)出兼?zhèn)錁I(yè)界頂級(jí)低傳導(dǎo)損耗※1和高速開(kāi)關(guān)特性的650V耐壓IGBT※2“RGTV系列（短路耐受能力※3保...

細(xì)看SiC MOSFET 的發(fā)展?fàn)顩r

這種顛覆性的功率晶體管在20世紀(jì)80年代早期實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，對(duì)電力電子行業(yè)產(chǎn)生了巨大的積極影響，它實(shí)現(xiàn)了創(chuàng)新的轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)、提...

化學(xué)合成半導(dǎo)體納米孔石墨烯

石墨烯由于具有高的電荷載流子遷移率，在晶體管等電子器件領(lǐng)域具有重要應(yīng)用前景，有望實(shí)現(xiàn)更快的計(jì)算能力。

淺析IGBT應(yīng)用原理

IGBT是一個(gè)三端器件，它擁有柵極G、集電極c和發(fā)射極E。

羅姆推出650V耐壓IGBT和RGW系列新品，用于變頻器及轉(zhuǎn)換器的功...

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM新開(kāi)發(fā)出兼?zhèn)錁I(yè)界頂級(jí)低傳導(dǎo)損耗※1和高速開(kāi)關(guān)特性的650V耐壓IGBT※2“RGTV系列（短路耐受能力※3保...

分布式能源與充電站一體化解決辦法分析

盡管我國(guó)已經(jīng)成為全球最大的電動(dòng)汽車市場(chǎng)，但充電難等問(wèn)題依舊是電動(dòng)汽車大規(guī)模推廣和運(yùn)用的一大瓶頸。現(xiàn)階段，我國(guó)電動(dòng)汽車...

智能家居發(fā)展對(duì)芯片的創(chuàng)新需求

從智能電視產(chǎn)業(yè)發(fā)展的趨勢(shì)出發(fā)，分別從智能制造和智能產(chǎn)品兩方面探討對(duì)芯片的創(chuàng)新需求，同時(shí)芯片在制造中的應(yīng)用。

進(jìn)口IGBT模塊與國(guó)產(chǎn)模塊有什么區(qū)別?

進(jìn)口元器件，德國(guó)工藝品質(zhì)，壽命長(zhǎng)物料成本低，技術(shù)不穩(wěn)定，壽命短。

補(bǔ)償器在工業(yè)自動(dòng)化中的原理及應(yīng)用

零極點(diǎn)補(bǔ)償器(Pole-zerocompensator)常用于修正反饋放大器回路的幅度和相位。這篇文章超出了教科書標(biāo)準(zhǔn)的解釋程度，本文考慮...