中國半導(dǎo)體分立器件業(yè)主要政策法規(guī)盤點

時間:2014-06-11

來源:網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導(dǎo)語:原信息產(chǎn)業(yè)部《信息產(chǎn)業(yè)科技發(fā)展“十一五”規(guī)劃和2020 年中長期規(guī)劃綱要》(2006 年8 月):

重點圍繞計算機、網(wǎng)絡(luò)和通信、數(shù)字化家電、汽車電子、環(huán)保節(jié)能設(shè)備及改造傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)等的需求,發(fā)展相關(guān)的片式電子元器件、機電元件、印制電路板、敏感元件和傳感器、頻率器件、新型綠色電池、光電線纜、新型微特電機、電聲器件、半導(dǎo)體功率器件、電力電子器件和真空電子器件。

原信息產(chǎn)業(yè)部《信息產(chǎn)業(yè)“十一五”規(guī)劃》(2007年3月):

推動元器件產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級。繼續(xù)鞏固我國在傳統(tǒng)元器件領(lǐng)域的優(yōu)勢,加強引進消化吸收再創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)垂直整合,加快新型元器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。重點發(fā)展片式化、微型化、集成化、高性能的新型元器件;鼓勵環(huán)保型電子元器件的發(fā)展。

國務(wù)院辦公廳《電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整和振興規(guī)劃》(2009年4月):

加快完善體制機制,改善投融資環(huán)境,培育骨干企業(yè),扶持中小創(chuàng)新型企業(yè),促進產(chǎn)業(yè)持續(xù)健康發(fā)展;加大財稅、金融政策支持力度,增強集成電路產(chǎn)業(yè)的自主發(fā)展能力;實現(xiàn)電子元器件產(chǎn)業(yè)平穩(wěn)發(fā)展;加快電子元器件產(chǎn)品升級;完善集成電路產(chǎn)業(yè)體系;在集成電路領(lǐng)域,鼓勵優(yōu)勢企業(yè)兼并重組;繼續(xù)保持并適當(dāng)加大部分電子信息產(chǎn)品出口退稅力度,發(fā)揮出口信用保險支持電子信息產(chǎn)品出口的積極作用,強化出口信貸對中小電子信息企業(yè)的支持。

國務(wù)院辦公廳《裝備制造業(yè)調(diào)整和振興計劃》(2009年5月):

結(jié)合實施電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整和振興規(guī)劃,以集成電路關(guān)鍵設(shè)備、平板顯示器件生產(chǎn)設(shè)備、新型元器件生產(chǎn)設(shè)備、表面貼裝及無鉛工藝整機裝聯(lián)設(shè)備、電子專用設(shè)備儀器及工模具等為重點,推進電子信息裝備自主化。

國家發(fā)展改革委員會辦公廳《關(guān)于組織實施2010年新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項的通知》(2010年3月):

重點支持金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)、集成門極換流場效應(yīng)管(IGCT)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、超快恢復(fù)二極管(FRD)等量大面廣的新型電力電子芯片和器件的產(chǎn)業(yè)化。

國家發(fā)展改革委員會《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄(2011年本)》(2011年3月):

將“新型電子元器件(片式元器件、頻率元器件、混合集成電路、電力電子器件、光電子器件、敏感元器件及傳感器、新型機電元件、高密度印刷電路板和柔性電路板等)制造”列入鼓勵類。

十一屆全國人大《國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十二個五年規(guī)劃綱要》(2011年3月):

優(yōu)化結(jié)構(gòu)、改善品種質(zhì)量、增強產(chǎn)業(yè)配套能力、淘汰落后產(chǎn)能,發(fā)展先進裝備制造業(yè),推進重點產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整,電子信息行業(yè)要提高研發(fā)水平,增強基礎(chǔ)電子自主發(fā)展能力,引導(dǎo)向產(chǎn)業(yè)鏈高端延伸。

國家發(fā)展改革委員會、科技部等五部委《當(dāng)前優(yōu)先發(fā)展的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化重點領(lǐng)域指南(2011年度)》(2011年6月):

將集成電路電路、信息功能材料與器件、新型元器件等列入重點領(lǐng)域,其中包括“中大功率高壓絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、快恢復(fù)二極管(FRD)芯片和模塊,中小功率智能模塊;高電壓的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET);大功率集成門極換流場效應(yīng)管(IGCT);6吋大功率場效應(yīng)管。”

國家發(fā)改委等五部門《中國逐步淘汰白熾燈路線圖》(2011年11月):

決定從2012年10月1日起按功率大小,分階段逐步禁止進口和銷售普通照明白熾燈。

深圳市政府《深圳市科學(xué)技術(shù)發(fā)展“十二五”規(guī)劃》(2011年12月):

以應(yīng)用為先導(dǎo),優(yōu)先發(fā)展集成電路設(shè)計技術(shù),提升高密度封裝及集成電路測試能力,加快形成以設(shè)計業(yè)為龍頭、制造業(yè)為核心、設(shè)備制造和配套產(chǎn)業(yè)為基礎(chǔ)的較為完整的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。

工業(yè)和信息化部《電子基礎(chǔ)材料和關(guān)鍵元器件“十二五”專項規(guī)劃》(2012年2月):

緊緊圍繞節(jié)能環(huán)保、新一代信息技術(shù)、生物、高端裝備制造、新能源、新材料和新能源汽車等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求,發(fā)展相關(guān)配套元器件及電子材料。

國家發(fā)展和改革委員會等6部委《半導(dǎo)體照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)規(guī)劃》(2013年1月):

以市場需求為導(dǎo)向、根據(jù)產(chǎn)品技術(shù)成熟度和經(jīng)濟性,逐步加大LED照明產(chǎn)品推廣力度。到2015年,節(jié)能燈等傳統(tǒng)高效照明產(chǎn)品市場占有率穩(wěn)定在70%左右,LED功能性照明產(chǎn)品市場占有率達20%以上。

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