新興產(chǎn)業(yè)“推波助瀾”IGBT國產(chǎn)化進程提速

時間:2014-09-10

來源:網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導(dǎo)語:IGBT是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的新一代功率半導(dǎo)體分立器件,其綜合GTR和MOSFET的優(yōu)點,具有易于驅(qū)動、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高的特點,廣泛應(yīng)用于小體積、高效率的變頻電源、電機調(diào)速、UPS以及逆變焊機當中,是目前發(fā)展最為迅速的新一代功率器件。

隨著中國高鐵、地鐵、動車、風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動/混合動力汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展,中國市場對IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及其模塊的需求越來越大。然而,在IGBT領(lǐng)域,中國企業(yè)尚處于起步階段,國外廠商早已占領(lǐng)了中國大部分的市場份額。對于尚處于蹣跚學(xué)步階段的中國企業(yè)來說,該如何與國外廠商展開競爭?面對中國龐大的市場需求,本土企業(yè)的機會又在哪里?

IGBT是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的新一代功率半導(dǎo)體分立器件,其綜合GTR和MOSFET的優(yōu)點,具有易于驅(qū)動、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高的特點,廣泛應(yīng)用于小體積、高效率的變頻電源、電機調(diào)速、UPS以及逆變焊機當中,是目前發(fā)展最為迅速的新一代功率器件。

新興產(chǎn)業(yè)成驅(qū)動力IGBT市場增長空間廣闊

據(jù)相關(guān)調(diào)研機構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示,IGBT市場規(guī)模占功率器件總市場規(guī)模比例為7.05%。受益于變頻器產(chǎn)業(yè)、變頻家電產(chǎn)業(yè)以及軌道交通產(chǎn)業(yè)的大力推動,中國IGBT市場增長空間非常大,預(yù)計2011年市場規(guī)模將達到60.2億元,增速達到30%。另有數(shù)據(jù)顯示,隨著中國高鐵、地鐵、動車、風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動/混合動力汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展,到2014年IGBT的銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元,增長一倍以上。

上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)市場部部長陳儉也描繪了IGBT市場的藍圖:“未來五年中國IGBT市場將保持復(fù)合25%以上的增速增長,節(jié)能應(yīng)用將成為市場的主要動力,市場容量預(yù)計可達到160億元。”

以上數(shù)據(jù)都展示了IGBT的美好前景,不過在深圳安杰利科技有限公司(以下簡稱“安杰利”)經(jīng)理陳孝安看來,今年的IGBT市場并不景氣。“與去年相比,今年IGBT市場并沒有太大的增長,因為光伏這塊的應(yīng)用還沒有上量。此外,受競爭環(huán)境的影響,一些中小企業(yè)倒閉,導(dǎo)致一些應(yīng)用市場的需求量下滑,比如大功率開關(guān)電源這塊,適配器、通信電源、充電器和PC電源的出貨量都出現(xiàn)了不同程度的下滑。”不過,陳孝安同時也表示,從未來來看,新能源、光伏、通訊電源、電力控制、電力機車等領(lǐng)域的需求會大幅增長,特別是中國電力機車領(lǐng)域,中國高鐵、地鐵發(fā)展較快,這將是一個大的應(yīng)用市場。

據(jù)了解,安杰利2005年開始涉足IGBT領(lǐng)域,當時也正是看中了中國廣闊的市場應(yīng)用前景。陳孝安告訴記者,目前國內(nèi)做IGBT的廠家并不多,本土IGBT產(chǎn)業(yè)還處于起步階段,未來會有比較大的需求量。

政策扶持頻頻出臺IGBT產(chǎn)業(yè)受重視

根據(jù)《國家中長期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要(2006-2020年)》,科技部在“十一五”國家科技支撐計劃重點項目“電力電子關(guān)鍵器件及重大裝備研制”中,將“新型電力電子器件及電力電子集成技術(shù)”列為該重點項目的第一項課題。據(jù)相關(guān)人士透露,該課題主要致力于IGBT、FRD及PEBB(電力電子組塊)關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)。

2010年國家發(fā)改委又下發(fā)紅頭文件——《國家發(fā)展改革委辦公廳關(guān)于組織實施2010年新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項的通知》,重點明確了以IGBT為代表的芯片和器件的設(shè)計開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化、功率模塊產(chǎn)業(yè)化等。這充分體現(xiàn)了上層對目前功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化的瓶頸和困局已有比較深刻的認識和危機意識。

有業(yè)內(nèi)人士表示,從產(chǎn)業(yè)化的角度看,未來3-5年內(nèi)我國功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展重點應(yīng)該是IGBT,因為我國對IGBT器件的需求比較迫切,國家在該領(lǐng)域也有較大的支持和投入。

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