【三星被判侵犯FinFET工藝專利,罰款4億美元!】根據(jù)美國德克薩斯州聯(lián)邦法院的裁決,三星電子侵犯了一家韓國大學關于雙柵極FinFET半導體工藝的技術專利,必須賠償4億美元。
韓國科學技術院(KAIST)在美國的授權機構起訴三星電子,稱其曾經(jīng)宣稱要與韓國大學共同研究FinFET(鰭式場效應晶體管)技術,但很快就放棄,改變主意從Intel那里購買授權,不過三星還是使用了他們的技術,卻并非付費。
法院認可了這一起訴,責令三星電子賠償4億美元。事實上,陪審團發(fā)現(xiàn)三星的侵權是故意行為,因此完全可以做出三倍處罰,也就是最多12億美元。
有趣的是,GlobalFoundries和高通也被發(fā)現(xiàn)同樣侵權,因為GF是從三星那里買了FinFET工藝的授權,高通則通過三星和GF代工芯片,但這兩家無需賠償。
三星對此判決自然表示很失望,將提出上訴。
目前,三星電子已經(jīng)超越Intel,成為全球最大的半導體廠商。
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