缺芯潮持續(xù)，何時(shí)緩解仍未有定論。

　　“5G帶動(dòng)半導(dǎo)體需求增加，加上地緣政治和疫情驅(qū)動(dòng)恐慌性備貨，晶圓代工產(chǎn)能供不應(yīng)求的情況依然存在?！苯?，在TrendForce集邦咨詢主辦的MTS2022存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)上，集邦咨詢分析師喬安表示。

　　TrendForce集邦咨詢預(yù)估，在歷經(jīng)連續(xù)兩年的芯片荒后，晶圓代工廠宣布擴(kuò)建的產(chǎn)能將陸續(xù)在2022年釋放，且新增產(chǎn)能集中在40nm及28nm制程。不過，由于新增產(chǎn)能的產(chǎn)出時(shí)間點(diǎn)落在2022下半年，正值傳統(tǒng)旺季，在供應(yīng)鏈積極為年底節(jié)慶備貨的前提下，產(chǎn)能紓解的現(xiàn)象可能并不明顯。

　　今年來，中國存儲(chǔ)芯片廠商發(fā)展迅速。中信證券(23.950, -0.14,-0.58%)在研報(bào)中稱，長江存儲(chǔ)、華虹集團(tuán)、中芯國際(54.380, -0.62,-1.13%)、長鑫存儲(chǔ)等晶圓廠積極擴(kuò)產(chǎn)，驅(qū)動(dòng)國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場增速兩倍于全球市場。

　　盡管如此，在全球行業(yè)競爭格局上，眼下中國芯片廠商依然難以撼動(dòng)三星、英特爾等海外企業(yè)的市場地位。

　　中國廠商加速擴(kuò)產(chǎn)

　　存儲(chǔ)芯片應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，常見的電子設(shè)備基本都需使用存儲(chǔ)芯片，從存儲(chǔ)芯片細(xì)分產(chǎn)品來看，DRAM和NAND Flash占據(jù)了存儲(chǔ)芯片95%以上的市場份額。

　　中國是全球存儲(chǔ)芯片最大市場。據(jù)報(bào)道，中國一年3000億美元的芯片進(jìn)口額中，有超過800億美元為采購內(nèi)存芯片，包括DRAM芯片和NAND Flash芯片。

　　在國際競爭格局上，存儲(chǔ)芯片長期被韓、日、美等國企業(yè)壟斷。其中在DRAM領(lǐng)域，三星、SK海力士及美光占據(jù)主導(dǎo)地位。

　　集邦咨詢報(bào)告顯示，2021年第三季度全球DRAM市占率方面，三星以44%位居第一;SK海力士在出貨減少的情況下略微縮減至27.2%，而美光小幅上升至22.9%，上述三大巨頭的市場占有率總計(jì)超過94%。

　　NAND Flash領(lǐng)域，三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、海力士、英特爾為行業(yè)龍頭。據(jù)民生證券7月統(tǒng)計(jì)，中國是全球第二大NAND Flash市場，占比超過31%，但本土供應(yīng)市占率不足1%。

　　11月18日，時(shí)創(chuàng)意董事長倪黃忠在接受時(shí)代周報(bào)記者采訪時(shí)表示，中國存儲(chǔ)芯片行業(yè)起步較晚，此前，在DRAM和NAND Flash領(lǐng)域均沒有國內(nèi)廠商，近年來，以長江存儲(chǔ)、長鑫存儲(chǔ)為代表的國內(nèi)龍頭廠商開始崛起。

　　“作為閃存行業(yè)的新人，長江存儲(chǔ)用三年時(shí)間實(shí)現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越?！遍L江存儲(chǔ)市場與銷售高級(jí)副總裁龔翊表示，去年4月，長江存儲(chǔ)宣布128層QLC 3D NAND 閃存研發(fā)成功。

　　中信證券在研報(bào)中稱，長江存儲(chǔ)是國內(nèi)3D NAND Flash 存儲(chǔ)器頭部廠商，一期項(xiàng)目于2019年產(chǎn)能達(dá)到2萬片/月，2020年擴(kuò)產(chǎn)至5萬片/月以上水平，預(yù)計(jì)一期項(xiàng)目未來將達(dá)到10萬片/月產(chǎn)能，另外二期土建已于2020年6月開工，兩期產(chǎn)能規(guī)劃共30萬片/月。

　　長鑫存儲(chǔ)作為國內(nèi)DRAM存儲(chǔ)器龍頭，三期總產(chǎn)能規(guī)劃37.5萬片/月。中信證券預(yù)計(jì)，其產(chǎn)能將從2021年初4萬片/月擴(kuò)張至2022-2023年12.5萬片/月，同時(shí)2022-2023年有望啟動(dòng)二期建設(shè)(12.5萬片/月)。

　　國產(chǎn)芯片向高端進(jìn)階

　　對(duì)存儲(chǔ)廠商而言，跑得夠不夠快是一個(gè)需要持續(xù)思考的問題。

　　以DRAM為例，由于DRAM的制程微縮已經(jīng)逐漸面臨物理極限，在20nm制程以后，除了美光(Micron)1αnm仍有近30%的單晶圓位元增長外，其他從1Xnm轉(zhuǎn)至1Ynm、或者1Ynm轉(zhuǎn)至1Znm制程，增長率已收縮至15%以內(nèi)。

　　華存電子技術(shù)總工程師魏智汎告訴時(shí)代周報(bào)記者，近幾年，國內(nèi)外企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)主控芯片市場發(fā)展迅速，競爭激烈，華存電子不僅要面對(duì)英特爾、三星、美光等閃存原廠，還要面對(duì)美滿電子、Microsemi等傳統(tǒng)主控大廠的競爭。

　　國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片必須從低端向高端進(jìn)階。東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳磊表示，作為本土芯片供應(yīng)商，東芯半導(dǎo)體目前40%以上的員工都是研發(fā)工程師，通過自主的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，以及與國內(nèi)晶圓廠和封裝測(cè)試廠的合作，已經(jīng)打造出一條本土供應(yīng)鏈體系。

　　在市場層面，5G、汽車電子、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)及新興市場，給存儲(chǔ)芯片帶來旺盛需求，也對(duì)產(chǎn)品性能提出新要求，包括精進(jìn)工藝制程、提升產(chǎn)品可靠性、縮小封裝尺寸等，促使產(chǎn)品快速迭代。

　　這也對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈提出新要求。倪黃忠表示，1.0時(shí)代，模組廠商只能做一些簡單的加工測(cè)試，開發(fā)能力較弱，產(chǎn)品以Micro SD卡、U盤等為主;2.0時(shí)代，模組廠商成為產(chǎn)品和技術(shù)的跟隨者，在行業(yè)內(nèi)有一定知名度，但銷售依然難突破;步入3.0時(shí)代，模組廠商要從芯片硬件到軟件、固件的開發(fā)，延展到系統(tǒng)級(jí)開發(fā)以及整個(gè)設(shè)備自動(dòng)化產(chǎn)線進(jìn)行改造，有全面的技術(shù)開發(fā)能力。

　　“雖然摩爾定律在半導(dǎo)體的很多領(lǐng)域受到了挑戰(zhàn)，但在閃存這個(gè)領(lǐng)域還在繼續(xù)發(fā)揮作用。”西部數(shù)據(jù)副總裁兼中國區(qū)業(yè)務(wù)總經(jīng)理劉鋼介紹，摩爾定律作用下，閃存密度和性能迅速提高，資本效率也大幅增加。

　　劉鋼分析，摩爾定律在閃存領(lǐng)域有三個(gè)維度可以發(fā)揮作用：一是線寬，在同一層中橫向提高密度;二是堆疊，在縱向上發(fā)展;三是在同一單元里通過改變邏輯單元的設(shè)定，從原來的SLC(Single-Level Cell，單層式存儲(chǔ)單元)到MLC(Multi-Level Cell，雙層式存儲(chǔ)單元)、TLC(Trinary-Level Cell，三層式存儲(chǔ)單元)、QLC(Quad-Level Cell，四層式存儲(chǔ)單元)，在每個(gè)單元都可以增長。

　　雖然，當(dāng)前存儲(chǔ)芯片市場主要由海外巨頭公司掌握，國產(chǎn)公司處于相對(duì)落后狀態(tài)，但國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片已在各個(gè)細(xì)分行業(yè)展開追趕，并獲得顯著進(jìn)展。“本土存儲(chǔ)廠商正奮起直追，企業(yè)之間形成了密切且相互依存的產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈，國產(chǎn)替代正當(dāng)時(shí)?！标惱诒硎尽?/p>