據(jù)悉北方某國(guó)計(jì)劃以X射線進(jìn)行光刻，它早就在研究無掩模X射線光刻機(jī)，此舉具有一定的可行性，因?yàn)樗牟ㄩL(zhǎng)比ASML所采用極紫外線還要短，X射線波長(zhǎng)基于0.01nm至10nm之間，而EUV極紫外線波長(zhǎng)長(zhǎng)度為13.5nm，X射線光刻機(jī)無需光掩模就可以直接光刻，此舉可以大幅降低芯片制造成本，同時(shí)在精準(zhǔn)度方面也更高。

　　與北方某國(guó)不同，日本研發(fā)無需ASML光刻機(jī)的芯片制造技術(shù)，則是因?yàn)镋UV光刻機(jī)的成本太高了，一臺(tái)EUV光刻機(jī)的售價(jià)高達(dá)1.5億美元，而下一代更精準(zhǔn)的EUV光刻機(jī)售價(jià)可望進(jìn)一步提高到3億美元，昂貴的EUV光刻機(jī)讓日本企業(yè)難以接受，它們因此而在數(shù)年前就開始研發(fā)無需ASML光刻機(jī)的芯片制造技術(shù)。

　　日本的存儲(chǔ)大廠鎧俠Kioxia(東芝)早在數(shù)年前就已與日本半導(dǎo)體廠商大日本印刷株式會(huì)社(DNP)研發(fā)新的光刻技術(shù)，在2020年成功研發(fā)出納米壓印微影(NIL)技術(shù)，并已應(yīng)用于Kioxia公司的NAND flash芯片生產(chǎn)中，它們預(yù)計(jì)該技術(shù)可以應(yīng)用于5nm工藝，打破當(dāng)下DUV光刻機(jī)只可以應(yīng)用于最高7nm工藝的限制，而且成本更低。

　　中國(guó)則延續(xù)了當(dāng)下的芯片制造技術(shù)方向，據(jù)悉中芯國(guó)際即將以DUV光刻機(jī)生產(chǎn)7nm工藝，這個(gè)技術(shù)其實(shí)已由臺(tái)積電實(shí)現(xiàn)，此前臺(tái)積電的第一代7nm工藝就是以DUV光刻機(jī)生產(chǎn)的，后來再升級(jí)至7nmEUV，7nm工藝將足以滿足中國(guó)多數(shù)芯片的需求。

　　除了以DUV光刻機(jī)生產(chǎn)7nm工藝之外，中國(guó)芯片企業(yè)華為海思還研發(fā)了芯片堆疊技術(shù)，該技術(shù)此前曾遭受一些質(zhì)疑，不過隨著臺(tái)積電推出的3D WOW技術(shù)大幅提升了7nm工藝芯片的性能，性能提升幅度達(dá)到40%，超過5nm工藝的性能提升幅度;蘋果也通過特殊的聯(lián)結(jié)方式將兩顆M1芯片連接在一起而取得了性能倍增，都證明了芯片堆疊技術(shù)的可行性。

　　如此中芯國(guó)際的7nm工藝輔以芯片堆疊技術(shù)，業(yè)界預(yù)期此舉可以將性能提升至接近5nm更進(jìn)一步滿足國(guó)內(nèi)芯片行業(yè)的要求，而且此舉也有助于降低成本。

　　上述這些技術(shù)發(fā)展都說明了ASML的EUV光刻機(jī)將不會(huì)成為推進(jìn)至7nm工藝以下的必然選項(xiàng)，芯片制造行業(yè)完全可以通過研發(fā)其他技術(shù)繞過EUV光刻機(jī)的限制，提升芯片的性能，甚至生產(chǎn)芯片的成本比EUV光刻機(jī)更低。

　　不僅如此，全球芯片供應(yīng)緊張的狀況似乎已有緩解的跡象，手機(jī)芯片行業(yè)已出現(xiàn)過剩，射頻芯片庫(kù)存達(dá)到了較高的水平，導(dǎo)致手機(jī)企業(yè)不再搶購(gòu)芯片。這是因?yàn)槭謾C(jī)行業(yè)的出貨量其實(shí)已低于歷史最高水平，汽車、電視的出貨量也有所下降，2021年出貨量增長(zhǎng)幅度較大的PC也在今年一季度顯著下滑，這都可能導(dǎo)致芯片產(chǎn)能過剩，芯片產(chǎn)能出現(xiàn)過剩的話，當(dāng)前全球搶購(gòu)光刻機(jī)的現(xiàn)象也就會(huì)緩解，甚至光刻機(jī)可能因此過剩。

　　可以說屬于ASML的高光時(shí)刻似乎正在過去，面對(duì)芯片技術(shù)的變革，以及芯片供應(yīng)的變化，ASML賺得盆滿缽滿的時(shí)代可能一去不復(fù)返了，那時(shí)候ASML會(huì)不會(huì)改變當(dāng)前銷售的諸多阻礙，而轉(zhuǎn)變態(tài)度希望客戶采購(gòu)它的光刻機(jī)呢?