臺積電新CoWoS封裝技術(shù)將打造手掌大小高端芯片

時間:2024-11-29

來源:電子技術(shù)應用

導語:11月28日消息,據(jù)報道,臺積電(TSMC)在其歐洲開放創(chuàng)新平臺(OIP)論壇上宣布,正在按計劃對其超大版本的CoWoS封裝技術(shù)進行認證。

  11月28日消息,據(jù)報道,臺積電(TSMC)在其歐洲開放創(chuàng)新平臺(OIP)論壇上宣布,正在按計劃對其超大版本的CoWoS封裝技術(shù)進行認證。

  此項革新性技術(shù)核心亮點在于,它能夠支持多達9個光罩尺寸(Reticle Size)的中介層集成,并配備12個高性能的HBM4內(nèi)存堆棧,專為滿足最嚴苛的性能需求而生。

  然而,超大版CoWoS封裝技術(shù)的實現(xiàn)之路并非坦途。具體而言,即便是5.5個光罩尺寸的配置,也需仰賴超過100 x 100毫米的基板面積,這一尺寸已逼近OAM 2.0標準尺寸的上限(102 x 165mm)。而若追求9個光罩尺寸的極致,基板尺寸更是要突破120 x 120毫米大關(guān),這無疑是對現(xiàn)有技術(shù)框架的一大挑戰(zhàn)。

  此等規(guī)模的基板尺寸變革,不僅深刻影響著系統(tǒng)設計的整體布局,也對數(shù)據(jù)中心的配套支持系統(tǒng)提出了更高要求,尤其是在電源管理和散熱效率方面,需要更為精細的考量與優(yōu)化。

  臺積電希望采用其先進封裝方法的公司也能利用其系統(tǒng)集成芯片(SoIC)先進封裝技術(shù)垂直堆疊其邏輯芯片,以進一步提高晶體管數(shù)量和性能。借助9個光罩尺寸的CoWoS封裝技術(shù),臺積電預計客戶會將1.6nm芯片放置在2nm芯片之上。


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